MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 222-4857
- Codice costruttore:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,423 € | 72,69 € |
| 60 - 120 | 2,302 € | 69,06 € |
| 150 + | 2,205 € | 66,15 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4857
- Codice costruttore:
- IMW120R220M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | IMW1 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie IMW1 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ in contenitore TO247-3 basato su un processo semiconduttore trench-semiconduttore all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.
Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria
Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
Ampia gamma di tensione gate-source
Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura