MOSFET Infineon, canale N 1.2 kV, 90 mΩ Miglioramento, 26 A, 4 Pin, TO-247, Superficie IMZ120R090M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4867
Codice costruttore:
IMZ120R090M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Tipo di package

TO-247

Serie

IMZ1

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET SiC da 90 mΩ, 1200 V Infineon CoolSiC in contenitore TO247-4 basato su un processo semiconduttore trench-of-the-art ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi.

Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria

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