MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
219-5980
Codice costruttore:
IPA60R360P7XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET a super giunzione ottimizzati Infineon CoolMO 600V P7 uniscono l'elevata efficienza energetica con facilità d'uso ed è il successore della serie CoolMOS 600V P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione CoolMOS 7th ne assicurano l'elevata efficienza.

Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti, come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto nella topologia LLC

Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e potenze di uscita

Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.