MOSFET Infineon, canale N, 0,36 Ω, 26 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 219-5980
- Codice costruttore:
- IPA60R360P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,322 €
(IVA esclusa)
1,613 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,322 € | 66,10 € |
| 100 - 200 | 1,084 € | 54,20 € |
| 250 - 450 | 1,018 € | 50,90 € |
| 500 - 950 | 0,979 € | 48,95 € |
| 1000 + | 0,939 € | 46,95 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-5980
- Codice costruttore:
- IPA60R360P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
I MOSFET a super giunzione ottimizzati Infineon CoolMO 600V P7 uniscono l'elevata efficienza energetica con facilità d'uso ed è il successore della serie CoolMOS 600V P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione CoolMOS 7th ne assicurano l'elevata efficienza.
Il MOSFET è adatto per topologie di commutazione sia difficili che risonanti, come PFC e LLC
Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto nella topologia LLC
Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e potenze di uscita
Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo
Eccellente robustezza durante la commutazione difficile del diodo del corpo visto nella topologia LLC
Adatto per un'ampia varietà di applicazioni finali e potenze di uscita
Parti disponibili adatte per applicazioni industriali e di consumo
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 26 A |
| Tensione massima drain source | 650 V |
| Tipo di package | TO-247 |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0,36 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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