MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 94 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IMW65R072M1HXKSA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 unità*

6,13 €

(IVA esclusa)

7,48 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 227 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 +6,13 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-0395
Codice costruttore:
IMW65R072M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

94mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 3 pin. La tecnologia MOSFET CoolSiC sfrutta le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio, aggiungendo caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d'uso del dispositivo. Il MOSFET 650V è costruito su un semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per non consentire compromessi nel ottenere sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità nel funzionamento.

Basse capacità

Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate

Eccellente affidabilità dell'ossido di gate

Eccellente comportamento termico

Maggiore capacità con effetto valanga

Funziona con i driver standard

Link consigliati