MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 23 mΩ Miglioramento, 94 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
913-3907
Codice costruttore:
IRFP90N20DPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

94A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

580W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.9mm

Altezza

20.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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