MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 360 A, 3 Pin, TO-247, Superficie

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Codice RS:
219-6016
Codice costruttore:
IPW60R024CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

360A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

183nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

320W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.1 mm

Altezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione IPW60R024CFD7 Infineon CoolMOS CFD7 in 600V è ideale per topologie risonanti in SMPS ad alta potenza, come ad esempio stazioni di carica per server, telecomunicazioni e EV, dove consente miglioramenti significativi dell'efficienza. Come successore della famiglia MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con carica di gate ridotta, comportamento di spegnimento migliorato e fino al 69% di carica di recupero inverso ridotta rispetto alla concorrenza.

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