MOSFET Infineon, canale N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 360 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW60R024CFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6017
Codice costruttore:
IPW60R024CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

360A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-247

Serie

CoolMOS CSFD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

320W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

183nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

21.1mm

Altezza

5.21mm

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a super giunzione IPW60R024CFD7 Infineon CoolMOS CFD7 in 600V è ideale per topologie risonanti in SMPS ad alta potenza, come ad esempio stazioni di carica per server, telecomunicazioni e EV, dove consente miglioramenti significativi dell'efficienza. Come successore della famiglia MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con carica di gate ridotta, comportamento di spegnimento migliorato e fino al 69% di carica di recupero inverso ridotta rispetto alla concorrenza.

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