MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 111 mΩ Miglioramento, 24 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 232-0396
- Codice costruttore:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,674 € | 170,22 € |
| 60 - 120 | 5,391 € | 161,73 € |
| 150 + | 5,05 € | 151,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 232-0396
- Codice costruttore:
- IMW65R083M1HXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 24A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 111mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 24A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 111mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 3 pin. La tecnologia MOSFET CoolSiC sfrutta le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio, aggiungendo caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d'uso del dispositivo. Il MOSFET 650V è costruito su un semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per non consentire compromessi nel ottenere sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità nel funzionamento.
Basse capacità
Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
Eccellente affidabilità dell'ossido di gate
Eccellente comportamento termico
Maggiore capacità con effetto valanga
Funziona con i driver standard