MOSFET Infineon, canale N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 111 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW60R018CFD7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4719
- Codice costruttore:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4719
- Codice costruttore:
- IPW60R018CFD7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 111A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 18mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 251nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 416W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 111A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 251nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 416W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 21.1mm | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.21mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².
Placcatura senza piombo; Conformità RoHS
Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23
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