MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 111 A, 3 Pin, TO-247, Superficie IPW60R018CFD7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4719
Codice costruttore:
IPW60R018CFD7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

111A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

251nC

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.21mm

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

21.1 mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².

Placcatura senza piombo; Conformità RoHS

Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23

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