MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
214-9118
Codice costruttore:
IPW65R125C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

101W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Altezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.21mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Facile da usare/guidare

Adatto per applicazioni industriali in conformità a JEDEC (J-STD20 E JESD22)

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