MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

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Codice RS:
214-9118
Codice costruttore:
IPW65R125C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolMOS C7

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Dissipazione di potenza massima Pd

101W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Altezza

21.1mm

Lunghezza

16.13mm

Larghezza

5.21 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.

Facile da usare/guidare

Adatto per applicazioni industriali in conformità a JEDEC (J-STD20 E JESD22)

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