MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 93 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IMW65R015M2HXKSA1

Codice RS:: 349-062
Codice costruttore:: IMW65R015M2HXKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 93 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IMW65R015M2HXKSA1

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Codice costruttore:: IMW65R015M2HXKSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	93A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	PG-TO-247
	Serie	CoolSiC
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	18mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	341W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	79nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 93A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package PG-TO-247
	Serie CoolSiC
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 18mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 341W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico No

Datasheet - IMW65R015M2HXKSA1

Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore ed eccellente facilità d'uso. Questo MOSFET è stato progettato per consentire progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. È la soluzione ideale per ottenere un'elevata efficienza del sistema in un'ampia gamma di applicazioni, offrendo prestazioni affidabili e funzionalità superiori.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 18 mΩ Miglioramento, 93 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IMW65R015M2HXKSA1

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