MOSFET Infineon, canale Tipo N, 130 A 650 V, PG-TO-247, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IMW65R010M2HXKSA1

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Codice RS:
351-950
Codice costruttore:
IMW65R010M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Potenza di uscita

312W

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IMW65

Tipo di package

PG-TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Altezza

5.3mm

Lunghezza

16.3mm

Larghezza

21.5 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET CoolSiC G2 di Infineon in un pacchetto TO-247-3 si basa sui punti di forza della tecnologia di Generazione 1 e consente di accelerare la progettazione di sistemi con soluzioni più efficienti, compatte, affidabili e ottimizzate dal punto di vista dei costi. La generazione 2 presenta miglioramenti significativi nelle figure di merito chiave per entrambe le topologie, hard-switching e soft-switching, adatte a tutte le combinazioni più comuni di stadi CA-CC, CC-CC e CC-CA.

Consente di risparmiare sulla distinta base

Massima affidabilità

Consente di ottenere la massima efficienza e densità di potenza

Facilità d'uso

Piena compatibilità con i fornitori esistenti

Consente di realizzare progetti senza ventola o dissipatore di calore

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