MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 24 mΩ Miglioramento, 83 A, 3 Pin, PG-TO-247, Foro passante IMW65R020M2HXKSA1

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Codice RS:
349-063
Codice costruttore:
IMW65R020M2HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

83A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

PG-TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

273W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

57nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET G2 CoolSiC Infineon da 650 V è realizzato sulla base della robusta tecnologia trench al carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre prestazioni ineguagliabili, affidabilità superiore ed eccellente facilità d'uso. Questo MOSFET è stato progettato per consentire progetti economici, altamente efficienti e semplificati, rispondendo alle esigenze sempre crescenti dei moderni sistemi e mercati di potenza. È la soluzione ideale per ottenere un'elevata efficienza del sistema in un'ampia gamma di applicazioni, offrendo prestazioni affidabili e funzionalità superiori.

Perdite di commutazione bassissime

Prodotto affidabile contro l'accensione parassita grazie anche a una tensione di gate di spegnimento di 0 V

Tensione di pilotaggio flessibile e compatibile con lo schema di pilotaggio bipolare

Funzionamento robusto del diodo intrinseco in presenza di eventi di commutazione difficili

La tecnologia di interconnessione .XT per le migliori prestazioni termiche della categoria

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