MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IPW65R125C7XKSA1
- Codice RS:
- 214-9119
- Codice costruttore:
- IPW65R125C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
25,21 €
(IVA esclusa)
30,755 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 240 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 5,042 € | 25,21 € |
| 25 - 45 | 4,79 € | 23,95 € |
| 50 - 120 | 4,312 € | 21,56 € |
| 125 + | 4,286 € | 21,43 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9119
- Codice costruttore:
- IPW65R125C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 18A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 125mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 101W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.21 mm | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 18A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 125mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 101W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.21 mm | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon CoolMOS C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie CoolMOS C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. La gamma di prodotti offre tutti i vantaggi dei MOSFET a super giunzione a commutazione rapida che offrono una migliore efficienza, una carica di gate ridotta, una facile implementazione e un'eccezionale affidabilità.
Facile da usare/guidare
Adatto per applicazioni industriali in conformità a JEDEC (J-STD20 E JESD22)
Link consigliati
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IPW60R125CPFKSA1
- MOSFET Infineon 18 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 18 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPW60R018CFD7XKSA1
- MOSFET Infineon 37 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 24 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 45 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
