MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 650 V, 360 mΩ Miglioramento, 30 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
220-7434
Codice costruttore:
IPL60R360P6SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

CoolMOS P6

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

89.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

5.1mm

Larghezza

6.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon il nuovo Cool MOS Thin PAK 5x6 è un contenitore SMD senza terminali progettato appositamente per MOSFET ad alta tensione. Questo nuovo contenitore ha un ingombro molto ridotto di 5x6mm 2 e un profilo molto basso con un'altezza di soli 1mm. Questo contenitore di dimensioni notevolmente ridotte in combinazione con le sue basse induttanze parassite di riferimento può essere utilizzato come un modo nuovo ed efficace per ridurre le dimensioni della soluzione di sistema in progetti con attivazione a densità di potenza. Il contenitore Thin PAK 5x6 è caratterizzato da un'induttanza di sorgente molto bassa di 1,6 NH, nonché da prestazioni termiche simili a quelle dei DPAK. Il contenitore consente quindi una commutazione più rapida e quindi più efficiente dei MOSFET di potenza ed è più facile da gestire in termini di comportamento di commutazione ed EMI.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRdson*Qg e Eoss molto bassi

Robustezza di commutazione molto elevata

Facile da usare/guidare

Senza piombo, composto di stampaggio senza alogeni

Adatto per applicazioni industriali in conformità a JEDEC

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