Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 28 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Codice RS:: 222-4917
Codice costruttore:: IPL65R070C7AUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 650 V, 70 mΩ Miglioramento, 28 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

11.571,00 €

(IVA esclusa)

14.118,00 €

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3000 +	3,857 €	11.571,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 222-4917
Codice costruttore:: IPL65R070C7AUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	28A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	650V
	Tipo di package	ThinPAK
	Serie	IPL60R
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	800mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	169W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	64nC
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	8.1mm
	Lunghezza	8.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 28A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V
	Tipo di package ThinPAK
	Serie IPL60R
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 800mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 169W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 8.1mm
	Lunghezza 8.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPL65R070C7AUMA1

La serie di MOSFET supergiunzione Infineon CoolMOS™ C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa al mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.

Rivoluzionario R DS(on)/package migliore della categoria

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss)

Carica di gate inferiore Qg

Risparmio di spazio grazie all'uso di confezioni più piccole o alla riduzione delle parti

12 anni di esperienza nella produzione di tecnologia supergiunzione

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