MOSFET Infineon, canale N 650 V, 195 mΩ Miglioramento, 12 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL65R195C7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4920
Codice costruttore:
IPL65R195C7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPL60R

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

195mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

75W

Tensione diretta Vf

800mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET supergiunzione Infineon CoolMOS™ C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa al mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico

Margine di sicurezza migliorato e adatto per applicazioni SMPS e inverter solare

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

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