MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 185 mΩ Miglioramento, 14 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
215-2521
Codice costruttore:
IPL60R185CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a super giunzione ad alta tensione con diodo integrato a corpo rapido che completa la serie Cool MOS™ 7. Cool MOS™ CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso più basso (trr) sul mercato.

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