MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 185 mΩ Miglioramento, 19 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2715,00 €

(IVA esclusa)

3312,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,905 €2.715,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4915
Codice costruttore:
IPL60R185P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPL60R

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V CoolMOS™ P7 è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate integrato R G

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

Link consigliati