Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 60 mΩ Miglioramento, 40 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Codice RS:: 222-4906
Codice costruttore:: IPL60R060CFD7AUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 60 mΩ Miglioramento, 40 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

9279,00 €

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11.319,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	3,093 €	9.279,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 222-4906
Codice costruttore:: IPL60R060CFD7AUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Serie	IPD50R
	Tipo di package	ThinPAK
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	60mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	219W
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	79nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	8.1mm
	Larghezza	8.1mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Serie IPD50R
	Tipo di package ThinPAK
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 219W
	Minima temperatura operativa -40°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 8.1mm
	Larghezza 8.1mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPL60R060CFD7AUMA1

Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a supergiunzione ad alta tensione di Infineon con diodo integrato a corpo rapido, che completa la serie CoolMOS™ 7. CoolMOS™ CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso (trr) più basso sul mercato.

Eccellente robustezza di commutazione rigida

Massima affidabilità per topologie risonanti

Massima efficienza con eccezionale facilità d'uso/permuta di prestazioni

Soluzioni di maggiore densità di potenza

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