MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 27 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
217-2537
Codice costruttore:
IPL60R125P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.8 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon P7 CoolMOS™ 600V supergiunzione (SJ) è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6 Infineon. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un eccellente robustezza di commutazione

Significativa riduzione delle perdite di conduzione e commutazione

Eccellente robustezza ESD > 2kV (HBM) per tutti i prodotti

Migliore RDS(ON)/prodotti di imballaggio rispetto alla concorrenza offerta da un

Bassa resistenza RDS(ON)*A(below1Ohm*mm²)

Completamente qualificato secondo JEDEC per applicazioni industriali

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