MOSFET Infineon, canale N 600 V, 125 mΩ Miglioramento, 27 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
217-2537
Codice costruttore:
IPL60R125P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

27A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

111W

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.8mm

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPL, tensione di sorgente di drenaggio 600 V, corrente di drenaggio continua 27 A - IPL60R125P7AUMA1


Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni di conversione di potenza e controllo a montaggio superficiale. Funziona in modalità di potenziamento con un canale di tipo N ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una gestione di tensione elevata e una corrente continua consistente. Il dispositivo è adatto per ambienti termici che vanno ben al di sotto del congelamento fino al funzionamento ad alta temperatura.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di 600 V consente la commutazione ad alta tensione nei circuiti compatti
• La corrente di drenaggio continua di 27 A supporta l'azionamento del carico sostenuto
• RDS(on) di 0,125 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 111 W consente un elevato flusso termico
• La carica di gate 36nC bilancia la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento

Applicazioni


• Adatto per convertitori CC-CC ad alta tensione in sistemi industriali
• Ideale per i front-end di azionamento del motore che richiedono una corrente sostenuta
• Può essere utilizzato per le fasi di correzione del fattore di potenza negli alimentatori
• Utilizzato con relè a stato solido e moduli di commutazione elettronici
• Adatto per assemblaggi di alimentazione ad alta temperatura fino a 150 °C

Quali considerazioni sull'azionamento del gate devo accettare?


Il gate richiede un azionamento in grado di fornire una carica tipica del gate di 36 nC per ottenere le prestazioni di commutazione previste, rispettando al contempo una tensione massima gate-sorgente di 20 V.

In che modo la progettazione termica deve tenere conto della dissipazione?


Il layout termico deve adattarsi a una dissipazione di potenza massima di 111 W, utilizzando un'area in rame per circuito stampato o vie termiche appropriate e un dissipatore di calore per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti nominali.

Quale contenitore e approccio di montaggio utilizza?


Viene fornito in un contenitore a montaggio superficiale ThinPAK con cinque pin per facilitare i collegamenti a bassa induttanza e il posizionamento compatto della scheda.

Quali sono i limiti di temperatura di esercizio sicura?


Il dispositivo funziona in un'ampia gamma da -40 °C a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e a temperatura elevata.

Quali tensioni e tensioni di corrente sono consentite sullo scarico?


Il drenaggio può essere esposto a un massimo di 600 V e a una corrente continua fino a 27 A, garantendo al contempo che RDS(on) e la dissipazione di potenza rimangano entro i valori specificati.

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