Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 365 mΩ Miglioramento, 10 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Codice RS:: 214-4399
Codice costruttore:: IPL60R365P7AUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 365 mΩ Miglioramento, 10 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

2103,00 €

(IVA esclusa)

2565,00 €

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,701 €	2.103,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 214-4399
Codice costruttore:: IPL60R365P7AUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	10A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	600V
	Tipo di package	ThinPAK
	Serie	600V CoolMOS P7
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	365mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Tensione diretta Vf	0.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	46W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	8.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 10A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V
	Tipo di package ThinPAK
	Serie 600V CoolMOS P7
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 365mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -40°C
	Tensione diretta Vf 0.9V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 46W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 8.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPL60R365P7AUMA1

Questo MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

È dotato di un diodo robusto

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

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