MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 365 mΩ Miglioramento, 10 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
214-4399
Codice costruttore:
IPL60R365P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

365mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8.1 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

È dotato di un diodo robusto

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

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