MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 365 mΩ Miglioramento, 10 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R365P7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4400
Codice costruttore:
IPL60R365P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

365mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 600V continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore RonxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (QG) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th ne garantiscono un'elevata efficienza.

È dotato di un diodo robusto

La RG integrata riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

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