MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 285 mΩ Miglioramento, 13 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie

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Codice RS:
215-2523
Codice costruttore:
IPL60R285P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

285mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

59W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS™ P7 è il successore della serie 600V Cool MOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono l'applicazione di commutazione sette più efficiente, più compatta e molto più fredda.

Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un'eccellente robustezza di commutazione

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