MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 285 mΩ Miglioramento, 13 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R285P7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2524
Codice costruttore:
IPL60R285P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

ThinPAK

Serie

600V CoolMOS CFD7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

285mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Dissipazione di potenza massima Pd

59W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

8.1mm

Altezza

8.1mm

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS™ P7 è il successore della serie 600V Cool MOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una tendenza al ringing molto bassa, un'eccellente robustezza del diodo del corpo contro la commutazione difficile e un'eccellente capacità ESD. Inoltre, le perdite di conduzione e commutazione estremamente basse rendono l'applicazione di commutazione sette più efficiente, più compatta e molto più fredda.

Adatto per la commutazione hard e soft (PFC e LLC) grazie a un'eccellente robustezza di commutazione

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