MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 185 mΩ Miglioramento, 19 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R185P7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4916
Codice costruttore:
IPL60R185P7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

IPL60R

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon 600V CoolMOS™ P7 è il successore della serie 600V CoolMOS™ P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza rispetto alla facilità d'uso nel processo di progettazione. La migliore R onxA della categoria e la carica di gate intrinsecamente bassa (Q G) della piattaforma di generazione CoolMOS™ 7th garantiscono la sua elevata efficienza.

Robustezza ESD di ≥ 2kV (HBM classe 2)

Resistore gate integrato R G

Diodo dal corpo robusto

Ampia gamma di contenitori a foro passante e per montaggio superficiale

Sono disponibili parti di grado standard e industriale

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