MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 185 mΩ Miglioramento, 14 A, 5 Pin, ThinPAK, Superficie IPL60R185CFD7AUMA1

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Codice RS:
215-2522
Codice costruttore:
IPL60R185CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

600V CoolMOS CFD7

Tipo di package

ThinPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

185mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.1 mm

Lunghezza

8.1mm

Altezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon 600V Cool MOS™ CFD7 è la più recente tecnologia MOSFET a super giunzione ad alta tensione con diodo integrato a corpo rapido che completa la serie Cool MOS™ 7. Cool MOS™ CFD7 viene fornito con carica di gate ridotta (Qg), comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso (Qrr) fino al 69% in meno rispetto alla concorrenza, nonché il tempo di recupero inverso più basso (trr) sul mercato.

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