MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 29 A, 5 Pin, ThinPAK 8x8, Superficie

Il MOSFET a super giunzione CFD7 CoolMOSTM da 650 V Infineon viene fornito in un contenitore ThinPAK 8x8 ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché un'ulteriore tensione di interruzione di 50 V.

Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza