MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 95 mΩ Miglioramento, 107 A, 5 Pin, ThinPAK 8x8, Superficie IPL65R200CFD7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-6625
Codice costruttore:
IPL65R200CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

107A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

ThinPAK 8x8

Serie

IPL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a super giunzione CFD7 CoolMOSTM da 650 V Infineon viene fornito in un contenitore ThinPAK 8x8 ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché un'ulteriore tensione di interruzione di 50 V.

Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza

Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus

Efficienza a pieno carico migliorata nelle applicazioni SMPS industriali

Elevata densità di potenza

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