MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 107 A, 5 Pin, ThinPAK 8x8, Superficie IPL65R115CFD7AUMA1
- Codice RS:
- 240-6617
- Codice costruttore:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
4,75 €
(IVA esclusa)
5,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 27 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,75 € |
| 10 - 24 | 4,50 € |
| 25 - 49 | 4,32 € |
| 50 - 99 | 4,12 € |
| 100 + | 3,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-6617
- Codice costruttore:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 107A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IPL | |
| Tipo di package | ThinPAK 8x8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 95mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 171W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 24mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 107A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IPL | ||
Tipo di package ThinPAK 8x8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 95mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 171W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 24mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a super giunzione CFD7 CoolMOSTM da 650 V Infineon viene fornito in un contenitore ThinPAK 8x8 ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché un'ulteriore tensione di interruzione di 50 V.
Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Efficienza a pieno carico migliorata nelle applicazioni SMPS industriali
Elevata densità di potenza
Link consigliati
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL65R200CFD7AUMA1
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL65R130CFD7AUMA1
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL65R160CFD7AUMA1
- MOSFET Infineon 95 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie IPL65R095CFD7AUMA1