MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 107 A, 5 Pin, ThinPAK 8x8, Superficie IPL65R115CFD7AUMA1
- Codice RS:
- 240-6617
- Codice costruttore:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-6617
- Codice costruttore:
- IPL65R115CFD7AUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 107A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | IPL | |
| Tipo di package | ThinPAK 8x8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 95mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 171W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 24mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 107A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie IPL | ||
Tipo di package ThinPAK 8x8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 95mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 171W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 24mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET a super giunzione CFD7 CoolMOSTM da 650 V Infineon viene fornito in un contenitore ThinPAK 8x8 ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché un'ulteriore tensione di interruzione di 50 V.
Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza
Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus
Efficienza a pieno carico migliorata nelle applicazioni SMPS industriali
Elevata densità di potenza
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