MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 95 mΩ Miglioramento, 29 A, 5 Pin, ThinPAK 8x8, Superficie IPL65R095CFD7AUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
240-6615
Codice costruttore:
IPL65R095CFD7AUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

IPL

Tipo di package

ThinPAK 8x8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

95mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a super giunzione CFD7 CoolMOSTM da 650 V Infineon viene fornito in un contenitore ThinPAK 8x8 ed è ideale per le topologie risonanti in applicazioni industriali, come server, telecomunicazioni, stazioni di ricarica solare ed EV, in cui consente un notevole miglioramento dell'efficienza rispetto alla concorrenza. Come successore della famiglia di MOSFET CFD2 SJ, viene fornito con una carica di gate ridotta, un comportamento di spegnimento migliorato e una carica di recupero inverso ridotta che consente la massima efficienza e densità di potenza, nonché un'ulteriore tensione di interruzione di 50 V.

Perdite di commutazione notevolmente ridotte rispetto alla concorrenza

Margine di sicurezza aggiuntivo per progetti con maggiore tensione bus

Efficienza a pieno carico migliorata nelle applicazioni SMPS industriali

Elevata densità di potenza

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