MOSFET Infineon, canale N, 22 m.Ω, 13 A, TO-247, Su foro

MOSFET SiC Infineon CoolSiC™ 1200 V, 220 mΩ in contenitore TO247-3 basato su un processo semiconduttore trench-semiconduttore all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità. Rispetto ai tradizionali interruttori basati su silicio (si) come IGBT e MOSFET, il MOSFET SiC offre una serie di vantaggi. Questi includono la carica di gate più bassa e i livelli di capacità del dispositivo visti negli interruttori a 1200 V, nessuna perdita di recupero inverso del diodo corpo a prova di commutazione interna, basse perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura, e caratteristica di stato attivo senza soglia.

Commutazione e perdite di conduzione migliori della categoria
Tensione di soglia benchmark alta, Vth > 4 V.
Tensione gate di spegnimento 0V per un gate drive facile e semplice
Ampia gamma di tensione gate-source
Diodo corpo robusto e a bassa perdita con valore nominale per la commutazione rigida
Perdite di commutazione di spegnimento indipendenti dalla temperatura