MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 80 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 233-3490
- Codice costruttore:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 240 unità*
2580,48 €
(IVA esclusa)
3148,08 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 07 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 240 + | 10,752 € | 2.580,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-3490
- Codice costruttore:
- AIMW120R080M1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 5.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 16.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 21.5 mm | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 5.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 16.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 21.5 mm | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
I MOSFET Infineon CoolSiC per il settore automobilistico sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e futuri in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 33 A.
Miglioramento dell'efficienza
Attivazione di una frequenza più elevata
Densità di potenza aumentata
Riduzione dello sforzo di raffreddamento