MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF540NSTRLPBF

Codice RS:: 831-2831
Codice Distrelec:: 304-44-447
Codice costruttore:: IRF540NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF540NSTRLPBF

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Codice RS:: 831-2831
Codice Distrelec:: 304-44-447
Codice costruttore:: IRF540NSTRLPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	44mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	71nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	130W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	4.83mm
	Lunghezza	10.67mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 130W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 4.83mm
	Lunghezza 10.67mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 33 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRF540NSTRLPBF

Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per garantire efficienza e affidabilità in un'ampia gamma di applicazioni. Caratterizzato da una configurazione a canale N, funziona in modalità enhancement con una corrente di drain continua massima di 33A e una tensione di breakdown di 100V. Il suo design a montaggio superficiale consente una semplice integrazione nei circuiti stampati, aumentando la versatilità nelle applicazioni moderne.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa Rds(on) di 44mΩ migliora l'efficienza del circuito

• L'elevata capacità di dissipazione di potenza di 130 W supporta applicazioni robuste

• La velocità di commutazione riduce al minimo la perdita di energia durante il funzionamento

• L'ampia gamma di temperature operative da -55°C a +175°C si adatta a diversi ambienti

• La costruzione senza piombo aderisce agli standard ambientali contemporanei

Applicazioni

• Gestione dell'alimentazione nei sistemi di automazione

• Alimentatori ad alta efficienza per l'elettronica

• Il controllo dei motori nell'ingegneria elettrica

• Sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficace dell'energia

Qual è la tensione massima gate-to-source per questo dispositivo?

La tensione massima gate-to-source è di ±20V e consente un funzionamento sicuro nei circuiti tipici.

Come gestisce questo dispositivo la gestione termica?

Con una potenza massima dissipata di 130 W e una resistenza termica tra giunzione e involucro di 1,15 °C/W, gestisce efficacemente il calore durante il funzionamento.

Qual è la carica tipica del gate a 10V?

La carica tipica del gate a una tensione gate-source di 10 V è di 71 nC, garantendo tempi di risposta rapidi nelle applicazioni di commutazione.

Questo dispositivo può essere montato su PCB standard?

Sì, è stato progettato in un pacchetto D2PAK, che lo rende adatto ad applicazioni di montaggio superficiale su layout PCB standard.

Qual è il significato della modalità di potenziamento in questo MOSFET?

La modalità di potenziamento consente un maggiore controllo sullo stato di conduzione, fornendo prestazioni migliori nelle applicazioni di commutazione.