MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF540NSTRRPBF

Codice RS:: 831-2840
Codice costruttore:: IRF540NSTRRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 44 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF540NSTRRPBF

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Codice RS:: 831-2840
Codice costruttore:: IRF540NSTRRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	44mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	71nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	130W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Larghezza	9.65 mm
	Altezza	4.83mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 44mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 130W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Larghezza 9.65 mm
	Altezza 4.83mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 33 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRF540NSTRRPBF

Questo MOSFET di potenza a canale N è stato progettato specificamente per applicazioni ad alta efficienza e offre prestazioni significative in vari sistemi elettronici. Eccelle negli ambienti ad alta corrente, dove l'affidabilità e la bassa resistenza sono essenziali. I suoi miglioramenti lo rendono particolarmente utile nei settori dell'automazione e della gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi

• Il basso RDS(on) riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento

• La capacità di corrente di drenaggio continua di 33A supporta diverse applicazioni

• L'ampio intervallo di tensione gate-source offre flessibilità di progettazione

• Resiste a temperature elevate fino a 175°C

• La commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del circuito

• Il design a montaggio superficiale D2PAK facilita l'integrazione su PCB

Applicazioni

• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per l'automazione

• Comunemente implementato nei convertitori DC-DC per l'efficienza energetica

• Adatto per l'azionamento del motore che richiedono una corrente elevata

• Si trova nei moduli di alimentazione per l'elettronica industriale

• Adatto per il settore automobilistico grazie alle solide prestazioni termiche

Qual è il significato di un RDS(on) basso durante il funzionamento?

Il basso livello di RDS(on) riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza energetica, un fattore cruciale per prolungare la durata dei componenti e ridurre i costi di esercizio.

Come si comporta il MOSFET a temperature più elevate?

Funziona in modo affidabile fino a 175°C, garantendo stabilità in condizioni estreme e soddisfacendo le esigenze di prestazioni senza guasti.

Questo dispositivo può gestire correnti pulsate e quali sono le specifiche?

Supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, gestendo in modo efficace brevi raffiche di potenza elevata, rendendolo ideale per applicazioni con condizioni di carico fluttuanti.

Quali sono le implicazioni della tensione di soglia del gate specificata?

L'intervallo di tensione di soglia del gate, compreso tra 2 e 4 V, indica la tensione necessaria per avviare la conduzione, fornendo informazioni essenziali per l'integrazione del progetto nei circuiti di controllo.

In che modo il pacchetto D2PAK influisce sulla sua utilizzabilità?

Il design del package D2PAK favorisce un'efficiente dissipazione del calore e semplifica l'assemblaggio a montaggio superficiale, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza su PCB compatti.