MOSFET Infineon, canale N, 44 mΩ, 33 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 831-2840
Codice costruttore:: IRF540NSTRRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 44 mΩ, 33 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 831-2840
Codice costruttore:: IRF540NSTRRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 33 A, dissipazione di potenza massima di 130 W - IRF540NSTRRPBF

Questo MOSFET di potenza a canale N è stato progettato specificamente per applicazioni ad alta efficienza e offre prestazioni significative in vari sistemi elettronici. Eccelle negli ambienti ad alta corrente, dove l'affidabilità e la bassa resistenza sono essenziali. I suoi miglioramenti lo rendono particolarmente utile nei settori dell'automazione e della gestione dell'energia.

Caratteristiche e vantaggi

• Il basso RDS(on) riduce al minimo le perdite di potenza durante il funzionamento
• La capacità di corrente di drenaggio continua di 33A supporta diverse applicazioni
• L'ampio intervallo di tensione gate-source offre flessibilità di progettazione
• Resiste a temperature elevate fino a 175°C
• La commutazione rapida migliora l'efficienza complessiva del circuito
• Il design a montaggio superficiale D2PAK facilita l'integrazione su PCB

Applicazioni

• Utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione per l'automazione
• Comunemente implementato nei convertitori DC-DC per l'efficienza energetica
• Adatto per l'azionamento del motore che richiedono una corrente elevata
• Si trova nei moduli di alimentazione per l'elettronica industriale
• Adatto per il settore automobilistico grazie alle solide prestazioni termiche

Qual è il significato di un RDS(on) basso durante il funzionamento?

Il basso livello di RDS(on) riduce la generazione di calore e migliora l'efficienza energetica, un fattore cruciale per prolungare la durata dei componenti e ridurre i costi di esercizio.

Come si comporta il MOSFET a temperature più elevate?

Funziona in modo affidabile fino a 175°C, garantendo stabilità in condizioni estreme e soddisfacendo le esigenze di prestazioni senza guasti.

Questo dispositivo può gestire correnti pulsate e quali sono le specifiche?

Supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, gestendo in modo efficace brevi raffiche di potenza elevata, rendendolo ideale per applicazioni con condizioni di carico fluttuanti.

Quali sono le implicazioni della tensione di soglia del gate specificata?

L'intervallo di tensione di soglia del gate, compreso tra 2 e 4 V, indica la tensione necessaria per avviare la conduzione, fornendo informazioni essenziali per l'integrazione del progetto nei circuiti di controllo.

In che modo il pacchetto D2PAK influisce sulla sua utilizzabilità?

Il design del package D2PAK favorisce un'efficiente dissipazione del calore e semplifica l'assemblaggio a montaggio superficiale, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza su PCB compatti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	33 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	44 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	130 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.65mm
Carica gate tipica @ Vgs	71 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	4.83mm