MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU4615PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
262-6781
Codice costruttore:
IRFU4615PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

33A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

HEXFET

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

144W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon offre vantaggi quali gate migliorato, valanga e robustezza dinamica dV/dt e capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga.

Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata

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