MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IRFU4615PBF
- Codice RS:
- 262-6781
- Codice costruttore:
- IRFU4615PBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
11,56 €
(IVA esclusa)
14,105 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 2815 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,312 € | 11,56 € |
| 50 - 120 | 2,036 € | 10,18 € |
| 125 - 245 | 1,896 € | 9,48 € |
| 250 - 495 | 1,76 € | 8,80 € |
| 500 + | 1,272 € | 6,36 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 262-6781
- Codice costruttore:
- IRFU4615PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | IPAK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 42mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 144W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package IPAK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 144W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 26nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon offre vantaggi quali gate migliorato, valanga e robustezza dinamica dV/dt e capacità completamente caratterizzata e SOA a valanga.
Capacità di diodo corpo dV/dt e dI/dt potenziata
Link consigliati
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRFS4615TRLPBF
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 33 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSC160N10NS3GATMA1
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 42 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF3415PBF
- MOSFET Infineon 13.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
