MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 36 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
215-2571
Codice costruttore:
IRF1310NSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.197in

Standard/Approvazioni

EIA 418

Lunghezza

14.173in

Larghezza

1.079 in

Standard automobilistico

No

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il modello D2pack è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di alloggiare matrici di dimensioni fino A HEX-4. Fornisce la massima capacità di potenza e la più bassa resistenza all'accensione possibile in qualsiasi contenitore a montaggio superficiale esistente. Il modello D2pack è adatto per applicazioni a corrente elevata grazie alla sua bassa resistenza di collegamento interna e può dissipare fino a 2 W in un'applicazione a montaggio superficiale tipica.

Avanzata tecnologia di processo

Classificazione completa a valanga

Commutazione rapida

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