MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 36 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4905
Codice costruttore:
IRF1310NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

36mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Larghezza

4.69 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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