MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 36 mΩ Miglioramento, 42 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF1310NPBF
- Codice RS:
- 541-1506
- Codice costruttore:
- IRF1310NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 541-1506
- Codice costruttore:
- IRF1310NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 36mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.69 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.69 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
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