MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 27 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

2,08 €

(IVA esclusa)

2,54 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 18 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 28 unità in spedizione dal 19 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 181,04 €2,08 €
20 - 980,95 €1,90 €
100 - 1980,87 €1,74 €
200 - 4980,815 €1,63 €
500 +0,755 €1,51 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
688-6872
Codice costruttore:
IRF540ZPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

92W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

8.77mm

Larghezza

4.69 mm

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, 36A di corrente continua massima di drain, 100V di tensione massima di source drain - IRF540ZPBF


Questo MOSFET è progettato per fornire prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. In grado di gestire una corrente di drain continua massima di 36A e una tensione di drain-source di 100V, il suo package TO-220AB assicura un'efficace dissipazione del calore e stabilità. Con una dissipazione di potenza massima di 92W, questo dispositivo a canale N è particolarmente adatto per le attività più impegnative nell'industria elettrica e meccanica.

Caratteristiche e vantaggi


• Utilizza la tecnologia HEXFET per una maggiore efficienza

• La bassa Rds(on) di 26,5mΩ riduce al minimo la perdita di potenza

• La velocità di commutazione migliora l'efficienza operativa

• Supporta la modalità di potenziamento per prestazioni affidabili

• Progettato per affrontare condizioni di valanga ripetitive

Applicazioni


• Utilizzato per il controllo del motore e la gestione dell'alimentazione

• Ideale per alimentatori e convertitori switching

• Adatto al settore automobilistico che richiede un'elevata efficienza

• Implementato nei sistemi di automazione industriale

• Efficace nei dispositivi elettronici che necessitano di prestazioni robuste

Qual è il significato del basso valore di Rds(on) nelle sue prestazioni?


Il basso valore di Rds(on) riduce le perdite di conduzione, con conseguente maggiore efficienza durante il funzionamento. Consente di migliorare le prestazioni termiche, che sono fondamentali nelle applicazioni ad alta corrente.

In che modo la tensione massima di drain-source influisce sull'affidabilità operativa?


La tensione di drain-source nominale di 100 V offre un notevole margine di sicurezza per le applicazioni, garantendo un funzionamento affidabile in condizioni di tensione variabili e prevenendo così il breakdown.

Questo MOSFET è in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?


Con una temperatura operativa massima di 175°C, è progettato per funzionare in modo affidabile in condizioni di alta temperatura, rendendolo adatto agli ambienti difficili delle applicazioni automobilistiche e industriali.

Link consigliati