MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 26.5 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante AUIRF540Z
- Codice RS:
- 737-7458
- Codice costruttore:
- AUIRF540Z
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 737-7458
- Codice costruttore:
- AUIRF540Z
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 26.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 92W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 16.51mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 92W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 16.51mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon
La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
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