MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.7 mΩ, 170 A, 8 Pin, TDSON-8 FL, Superficie ISC019N04NM5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-6997
Codice costruttore:
ISC019N04NM5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TDSON-8 FL

Serie

ISC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

67nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.8mm

Lunghezza

4.4mm

Larghezza

1.1 mm

Standard automobilistico

No

Il transistor MOSFET a canale N a transistor di potenza OptiMOS 5 Infineon ha una tensione di rottura della sorgente di scarico di 40 V e una corrente di scarico continua di 170 A. Questo prodotto offre una soluzione di riferimento per le applicazioni che richiedono capacità di azionamento a livello normale (tensione di soglia superiore). L'elevata Vth nel portafoglio di livello normale offre immunità alla falsa accensione dovuta agli ambienti rumorosi. Inoltre, i rapporti QGD/QGS più bassi riducono il picco dei picchi di tensione del gate, contribuendo ulteriormente alla robustezza contro l'accensione indesiderata.

Applicazione a batteria

Azionamenti per motori LVV

Resistenza all'accensione RDS(on) molto bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Temperatura di giunzione 175 °C

Resistenza termica superiore

Bassa carica del gate

Riduzione delle perdite di commutazione

Adatto per il funzionamento a frequenze più elevate

Canale N

Placcatura del cavo senza piombo.

Conformità alla direttiva RoHS

Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-21

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