MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 906-4400
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

1,172 €

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Unità	Per unità	Per confezione**
10 - 40	1,172 €	11,72 €
50 - 90	1,114 €	11,14 €
100 - 240	1,066 €	10,66 €
250 - 490	1,02 €	10,20 €
500 +	0,645 €	6,45 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 906-4400
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC900N20NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	15,2 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	62,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.1mm
Larghezza	5.35mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 90 mΩ, 15,2 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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