Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 90 mΩ Miglioramento, 15.2 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC900N20NS3GATMA1

Codice RS:: 906-4400
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 90 mΩ Miglioramento, 15.2 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC900N20NS3GATMA1

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Codice RS:: 906-4400
Codice costruttore:: BSC900N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	15.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	200V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	90mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	9nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	62.5W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.1mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 15.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS 3
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.1mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Esente

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