MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 911-0787
Codice costruttore:: BSC320N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

1,392 €

(IVA esclusa)

1,698 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	1,392 €	6.960,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 911-0787
Codice costruttore:: BSC320N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC320N20NS3 G, OptiMOS3 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	32 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V
Larghezza	6.1mm
Lunghezza	5.35mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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