MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 754-5311
Codice costruttore:: BSC320N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 754-5311
Codice costruttore:: BSC320N20NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC320N20NS3 G, OptiMOS3 Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	32 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	125 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	5.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	22 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 32 mΩ, 36 A, TDSON, Montaggio superficiale

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