MOSFET Infineon, canale N 200 V, 50 mΩ Miglioramento, 24 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
170-2304
Codice costruttore:
BSC500N20NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

BSC500N20NS3 G

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.35mm

Lunghezza

5.35mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I prodotti OptiMOS™ da 200 V di Infineon vantano tecnologie di benchmark con prestazioni leader del settore, perfettamente adatte per il raddrizzamento sincrono nei sistemi a 48 V, nei convertitori C.C.-C.C., nei gruppi di continuità (UPS) e negli inverter per azionamenti per motori C.C.

R DS(on) più bassa del settore

Livelli minimi di Q g e Q gd

Senza alogeni

Vantaggi:

Massima efficienza

Massima densità di potenza

Minimo consumo di spazio su scheda

Minimo collegamento in parallelo richiesto

Miglioramento dei costi di sistema

Ecologico

Prodotti facili da progettare

Applicazioni target:

Rettifica sincrona per SMPS C.A.-C.C.

Controllo di motori per sistemi 48 V-110 V

Convertitori C.C.-C.C. isolati

Illuminazione per le reti da 110 V C.A.

Lampade HID

Amplificatori audio di classe D

Gruppi di continuità (UPS)

Alimentatori per illuminazione LED

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