MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 125 mΩ Miglioramento, 11.3 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC12DN20NS3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1952
Codice costruttore:
BSC12DN20NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

BSC12DN20NS3 G

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS offre tecnologie di benchmark con prestazioni leader del settore, perfettamente adatte per la rettifica sincrona in sistemi 48V, convertitori c.c.-c.c., gruppi di continuità (UPS) e inverter per azionamenti per motori c.c.

Massima efficienza

Massima densità di potenza

Minimo consumo di spazio su scheda

Minimo collegamento in parallelo richiesto

Miglioramento dei costi di sistema

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