MOSFET Infineon, canale N, 0,0112 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Codice RS:: 214-9061
Codice costruttore:: IPG20N06S4L11AATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,0112 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,508 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,508 €	2.540,00 €

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Codice RS:: 214-9061
Codice costruttore:: IPG20N06S4L11AATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IPG20N06S4L11AATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	OptiMOS™ -T2
Tipo di package	SuperSO8 5 x 6 doppio
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,0112 O
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si

MOSFET Infineon, canale N, 0,0112 O, 20 A, SuperSO8 5 x 6 doppio, Montaggio superficiale

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