MOSFET Infineon Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N, canale Tipo N, 16 A 100 V, SuperSO8 5 x

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

1850,00 €

(IVA esclusa)

2250,00 €

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Codice RS:
243-9341
Codice costruttore:
IPG16N10S461ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IPG16N10S4-61

Tipo di package

SuperSO8 5 x 6

Numero pin

8

Modalità canale

Doppio N

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

29W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Modalità di potenziamento del livello normale a doppio canale N

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon ha un MOSFET a doppio canale N di livello normale-Logic Level, qualificato AEC Q101 e testato per rilevare al 100% l'effetto valanga

Canale N

100% testato a valanga

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260°C di picco di rifusione

175°C di temperatura di esercizio

Prodotto ecologico (conforme a RoHS)

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