MOSFET STMicroelectronics, canale Canale N 100 V, 4.6 mΩ Modalità di potenziamento, 125 A, 8 Pin, PowerLeaded,
- Codice RS:
- 834-675
- Codice costruttore:
- STL125N10LF8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 3000 unità*
2559,00 €
(IVA esclusa)
3123,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 27 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,853 € | 2.559,00 € |
| 6000 + | 0,806 € | 2.418,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 834-675
- Codice costruttore:
- STL125N10LF8AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 125A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PowerLeaded | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.6mΩ | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | ROHS | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 125A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PowerLeaded | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.6mΩ | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni ROHS | ||
Lunghezza 6mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza di STMicroelectronics utilizza una tecnologia avanzata a gate a trincea per ottimizzare la densità di potenza e l'efficienza nei sistemi di conversione di potenza automobilistici e industriali.
La qualifica per il settore automobilistico garantisce un funzionamento affidabile in condizioni estreme
Lo stato della figura di merito ART riduce significativamente le perdite di commutazione complessive
La resistenza in stato attivo molto bassa riduce al minimo la dissipazione termica durante la conduzione di corrente elevata
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 7 Pin
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.65 Ω 1200 V H2PAK-2, Montaggio
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 4.8 mΩ Modalità di potenziamento 8 Pin
- MOSFET STMicroelectronics 1.6 mΩ Modalità di potenziamento 8 Pin Superficie
- MOSFET STMicroelectronics 18 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.65 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin
- MOSFET di potenza STMicroelectronics 1.9 mΩ Modalità di potenziamento 3 Pin Foro